殷月伟,新增中国科学技术大学特任教授,博士生导师。架构即插即用图7铁电隧道结忆阻器的神经形态模拟计算。可重复擦写次数达108-109次,新增远超商用闪存寿命(约105次)。
【引言】现代计算机多采用信息存储和处理分离以及多级存储的架构,架构即插即用需要数据在不同存储层级和处理器之间转移,带来额外的延时和能耗。新增【图文导读】图1铁电隧道结结构和铁电性表征(a)铁电隧道结Ag/BTO/NSTO初始态的HAADF-STEM及EELS测试结果。
架构即插即用(e)一个存储单元中实现32个非易失阻态。
为此,新增迫切需求一种既像SRAM一样能匹配CPU处理数据的速度(1ns),又像闪存一样高密度、非易失的存储器。这与晶体材料的传统加工硬化过程完全相反,架构即插即用表明非晶合金具有完全不同的加工硬化机制(Figure.10)。
新增2)四面体的连续缠绕和生长。架构即插即用这表明c+a位错保留他们的特性和可动性而非不可滑动。
c+a位错能够调节沿着c轴方向的塑性应变和滑移路径,新增其滑移面为{10-11}和{11-22}。架构即插即用c. CrFeCoNiPd合金与其它相关HEAs的屈服强度比较。